网站首页 > 产品> 2N6660JTX02

2N6660JTX02| MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

2N6660JTX02

描述 :   MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 990mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 50pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Power - Max 725mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
  • vishay 陶瓷电容

      日前,Vishay宣布推出通过AEC-Q200认证的,用于电动和插电式混合动力汽车的交流线路的新系列圆片陶瓷安规电容器---AY2系列。  新的Vish...

  • vishay钽电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • altera

      Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天宣布,公司荣获华为“2013年度优秀核心合作伙伴”奖,以表彰公司出众的支持、高质量标准以及FPGA创新产品...

  • atmel 32

      Atmel公司近日宣布,公司基于ARM? Cortex?-M0+的MCU已达到了一个全新的低功耗标准,将活动模式下的功耗降至40 μA/MHz,并将睡眠模式...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9