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EPC8005ENGR| TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE

EPC8005ENGR

描述 :   TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE

品牌 :   EPC

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 65V
FET Feature Standard
FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.22nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 29pF @ 32.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 275 mOhm @ 500mA, 5V
Supplier Device Package Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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