网站首页 > 产品> EPC8003ENGR

EPC8003ENGR| TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE

EPC8003ENGR

描述 :   TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE

品牌 :   EPC

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.32nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 38pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case Die
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 500mA, 5V
Supplier Device Package Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
  • avago 光耦

      安华高(Avago)近日推出一款高度整合的新智能门极驱动光耦合器产品。ACPL-339J为针对MOSFET缓冲器高电压与低电压端门极驱动最佳化,具...

  • altera 仿真

      Altera近日任命庄秉瀚为亚太区副总裁兼总经理,他将负责Altera亚太区的销售业务。庄秉瀚于1998年加入Altera,是一名现场应用工程师,曾经在业务...

  • vishay general

      Vishay Intertechnology,Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件...

  • atmel sam

      Cortex-M7处理器有3个突出的特性:  性能和可配置性:在 ARM Cortex-M 处理器系列中,Cortex-M7 的性能最为出色。它拥有六级超标量流水...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9