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TK31E60W,S1VX| MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

TK31E60W,S1VX

描述 :   MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Super Junction
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000pF @ 300V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 230W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 15.4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
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