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TK31V60W,LVQ| MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

TK31V60W,LVQ

描述 :   MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
FET Feature Super Junction
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 86nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3000pF @ 300V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 4-VSFN Exposed Pad
Power - Max 240W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 98 mOhm @ 15.4A, 10V
Supplier Device Package 5-DFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 1.5mA
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