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IXTY2N100P| MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

IXTY2N100P

描述 :   MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

品牌 :   IXYS

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 655pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 86W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
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