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GP1M006A065FH| MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

GP1M006A065FH

描述 :   MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

品牌 :   Global Power Technologies Group

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1177pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 39W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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电子元件制造商

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