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GP1M004A090H| MOSFET N-CH 900V 4A TO220
GP1M004A090H
描述 : MOSFET N-CH 900V 4A TO220
品牌 : Global Power Technologies Group
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 955pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power - Max | 123W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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