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NVD4856NT4G| MOSFET N-CH 25V 89A DPAK

NVD4856NT4G

描述 :   MOSFET N-CH 25V 89A DPAK

品牌 :   ON Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 27nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2241pF @ 12V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 1.33W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
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