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GA20JT12-247| TRANS SJT 1.2KV 20A
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | Junction Transistor, Normally Off |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 282W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 20A |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
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电子元件制造商
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