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DMG4N65CT| MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

DMG4N65CT

描述 :   MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

品牌 :   Diodes Incorporated

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 13.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 900pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 2.19W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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电子元件制造商

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