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TK14E65W,S1X| MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

TK14E65W,S1X

描述 :   MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 300V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 130W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 690µA
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