网站首页 > 产品> SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3| MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

SISA14DN-T1-GE3

描述 :   MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1450pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Power - Max 26.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
  • vishay roederstein

      Vishay Intertechnology宣布,发布其2014年“Super 12”明星产品。每年,Vishay都会挑出12款采用全新技术,能够大幅提高终端产品和系统性能的...

  • vishay group

      8月8日Vishay精密集团(股票代码:VPG)公布财报,公告显示公司2017财年第二财季净利润为361.90万美元,营业收入为6231.90万美元。  VishayP...

  • vishay bccomponents

      日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,将159PUL-SI系列卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时。VishayBCcomponents的...

  • vishay贴片电阻

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款绿色、符合RoHS标准(无任何例外)的厚膜矩形贴片电阻---...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9