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STH110N10F7-6| MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

STH110N10F7-6

描述 :   MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

品牌 :   STMicroelectronics

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5117pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Power - Max 150W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package H²PAK
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
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