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IPS65R1K0CEAKMA1| MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 328pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Power - Max | 37W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-251 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
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