网站首页 > 产品> GA04JT17-247

GA04JT17-247| TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

GA04JT17-247

描述 :   TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc) (95°C)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type Junction Transistor, Normally Off
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Power - Max 106W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 4A
Supplier Device Package TO-247AB
Vgs(th) (Max) @ Id -
  • vishay dale电阻

      日前,Vishay Intertechnology Inc宣布,推出新系列高功率、大电流的栅格电阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2电阻是Vishay Dale Re...

  • atmel atmega

      过去两年来这一波前所未有的整并与收购(M&A)行动,戏剧性地改写了整个半导体产业的竞争格局。或许,其中变化最剧烈的要算是MCU领域了,因为就...

  • altera芯片

      据悉,英特尔将向Altera股东支付每股54美元的现金,总价值约为167亿美元,这一出价较Altera上周五48.85美元的收盘价溢价10.5%。英特尔称,交易完...

  • vishay产品

      宾夕法尼亚、MALVERN—2017年8月17日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,扩展其用于能量采集、备用电...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9