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TK22E10N1,S1X| MOSFET N CH 100V 52A TO220

TK22E10N1,S1X

描述 :   MOSFET N CH 100V 52A TO220

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 52A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 50V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 72W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
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电子元件制造商

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