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DMG9N65CT| MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB

DMG9N65CT

描述 :   MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB

品牌 :   Diodes Incorporated

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2310pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 165W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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电子元件制造商

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