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FDA18N50| MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 239W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
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