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FCP650N80Z| MOSFET N-CH 800V 10A

FCP650N80Z

描述 :   MOSFET N-CH 800V 10A

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1565pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Power - Max 162W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 800µA
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