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FCP650N80Z| MOSFET N-CH 800V 10A
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1565pF @ 100V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power - Max | 162W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 800µA |
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