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GP1M018A020PG| MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

GP1M018A020PG

描述 :   MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

品牌 :   Global Power Technologies Group

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 950pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power - Max 94W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package I-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
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