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RSH065N06TB1| MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

RSH065N06TB1

描述 :   MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 16nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 900pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
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