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FDME820NZT| MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

FDME820NZT

描述 :   MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.8V Drive
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 865pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerUFDFN
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 9A, 4.5V
Supplier Device Package MicroFet 1.6x1.6 Thin
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
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