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GP1M003A080CH| MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

GP1M003A080CH

描述 :   MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

品牌 :   Global Power Technologies Group

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 696pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power - Max 94W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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