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IPS65R1K5CEAKMA1| MOSFET N-CH 650V TO-251-3

IPS65R1K5CEAKMA1

描述 :   MOSFET N-CH 650V TO-251-3

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 225pF @ 100V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Power - Max 28W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 100µA
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