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FDC5614P| MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

FDC5614P

描述 :   MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 759pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Power - Max 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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