网站首页 > 产品> NDS0610

NDS0610| MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23

NDS0610

描述 :   MOSFET P-CH 60V 120MA SOT-23

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 79pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 360mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
  • vishay钽电容代理

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用钽外壳和glass-to-tantalum密封的新系列液钽电容器---T16,该器件特别适用于航空、航天领域...

  • xilinx官方开发板

      开发板资源介绍  Xilinx Spartan 3E-FPGA,10万或25万门  FPGA特性18位乘法器,72位高速双端口Block RAM,以及500MHz+运算能...

  • atmel产品

      作为微软公司的联合开发合作伙伴,Atmel研发了一系列高性能触摸屏控制器,以满足Windows8.1的触屏规范要求。T 系列控制器能够在功耗极低的情况...

  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9