网站首页 > 产品> IPG20N06S3L-23

IPG20N06S3L-23| MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

IPG20N06S3L-23

描述 :   MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2950pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 45W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4 (5.15x6.15)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA
  • maxim半导体

      中国LED厂商崛起让LED彻底进入照明产业,它的半导体产业特征越来越薄弱,同时LED释放大量的高端人力。2017年3月6日消息,美信半导体(Ma...

  • altera fpga 设计

      英特尔(Intel)正于近日在美国举行的Supercomputing 2016大会上展示其两款新型Xeon处理器,以及支援深度学习的新型FPGA卡;从该公司的技术展...

  • atmel

      米尔科技推出全球首款基于Atmel SAMA5D2x芯片的核心板(MYC-JA5D2X核心板)及其开发板(MYD-JA5D2X开发板)。该平台性处理性能优...

  • vishay薄膜电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境,推出新的薄膜条M...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9