网站首页 > 产品> QJD1210SA1

QJD1210SA1| MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

QJD1210SA1

描述 :   MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

品牌 :   Powerex Inc.

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 330nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 8200pF @ 10V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Power - Max 520W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 100A, 15V
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 34mA
  • vishay esta

      针对汽车、商业和电信应用,Vishay Semiconductors将着重展示采用各种超薄封装的二极管,包括采用SMPA(DO-221BC)和SMPD(TO-263A...

  • microchip atmel

      据《纽约时报》报道,美国芯片制造商微芯科技(Microchip Technology)宣布以36亿美元收购同行Atmel,在半导体行业再掀并购浪潮。芯片制造商们一...

  • maxim 芯片

      USB Type-C产品必须产生一路3.3V的常开电源,以检测USB插入事件。利用MAX77756降压转换器可以从Type-C供电(PD)电压(5V至20V)产...

  • vishay威世

      Vishay(威世)近日推出五种新型低阻抗、高压模拟开关,接通电阻低至10Ω,可应用于音频、视频和数据交换等场合。新器件包括双电源供电单极/单掷(S...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9