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QJD1210011| MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

QJD1210011

描述 :   MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

品牌 :   Powerex Inc.

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 500nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 10200pF @ 800V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Module
Power - Max 900W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 100A, 20V
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
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