网站首页 > 产品> PMGD130UN,115

PMGD130UN,115| MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

PMGD130UN,115

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 83pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 390mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

  • 威世vishay

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将于11月9—10日在中国启动威世电阻学院计划。威世电阻学院(Vishay Resistors University)是一个面向设...

  • atmel 加密芯片

      Atmel的CryptoAuthentication系列解决方案是一种提供验证功能的集成电路(IC)。“黑客有可能复制到了原理图、电路板GERBER文件、程序,...

  • vishay 红外

      日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出用于平板电视和显示器中遥控应用的两个新系列小型红外(IR)接收器模块...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9