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SI7909DN-T1-GE3| MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

SI7909DN-T1-GE3

描述 :   MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Power - Max 1.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 700µA
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