网站首页 > 产品> NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G| MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

NTMD6601NR2G

描述 :   MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

品牌 :   ON Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 400pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 215 mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • atmega atmel

      ATMEGA48V-10AU是ATMEL公司旗下一款高性能、低功耗的 8 位AVR 微处理器,具有先进的RISC结构,131 条指令—大多数指令执行时...

  • vishay china

      EDN China创新奖于2005年推出,表彰在IC设计方面取得的成就和中国市场上发布的优秀产品,已成为中国大陆电子设计行业最令人期待和受人尊重的...

  • xilinx工具

      赛灵思宣布,其面向OpenCL™、C和C++的SDAccel™开发环境顺利通过Khronos OpenCL 1.0标准一致性测试。OpenCL标准为软件开发人员提...

  • vishay牌

       Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的符合JEDEC MO-137 variation AB和AE的16pin和24pin版本,扩充其采用25mil引脚间距Q...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9