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SI7960DP-T1-GE3| MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

SI7960DP-T1-GE3

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 75nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 9.7A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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