网站首页 > 产品> SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3| MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

SI7964DP-T1-E3

描述 :   MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 9.6A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
  • altera 器件

      Altera公司与Intel公司今天宣布,采用Intel世界领先的封装和装配技术以及Altera前沿的可编程逻辑技术,双方合作开发多管芯器件。在此次合作中...

  • vishay威世

      Vishay(威世)近日推出五种新型低阻抗、高压模拟开关,接通电阻低至10Ω,可应用于音频、视频和数据交换等场合。新器件包括双电源供电单极/单掷(S...

  • vishay电感

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

  • vishay bc components

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,常用的VY1和VY2系列交流线路瓷片安规电容器新增采用Y5V陶瓷电介质...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9