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SI4511DY-T1-E3| MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

SI4511DY-T1-E3

描述 :   MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A, 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
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