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VMM1000-01P| MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

VMM1000-01P

描述 :   MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

品牌 :   IXYS

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1000A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2355nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds -
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Y3-Li
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 800A, 10V
Supplier Device Package Y3-Li
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 10mA
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