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PMWD19UN,518| MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
PMWD19UN,518
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
品牌 : NXP Semiconductors
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 28nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1478pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Power - Max | 2.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-TSSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 1mA |
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