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BSG0810NDIATMA1| MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

BSG0810NDIATMA1

描述 :   MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A, 39A
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
FET Feature Logic Level Gate, 4.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1040pF @ 12V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 155°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
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