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VQ1001P-E3| MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
VQ1001P-E3
描述 : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
品牌 : Vishay Siliconix
PDF : PDF
库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 830mA |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 4 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V |
| Mounting Type | * |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | - |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| Supplier Device Package | * |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
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