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HTMN5130SSD-13| MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

HTMN5130SSD-13

描述 :   MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

品牌 :   Diodes Incorporated

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 218.7pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.7W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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电子元件制造商

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