网站首页 > 产品> SIZ700DT-T1-GE3

SIZ700DT-T1-GE3| MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

SIZ700DT-T1-GE3

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1300pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerPair™
Power - Max 2.36W, 2.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 6-PowerPair™
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
  • vishay china

      EDN China创新奖于2005年推出,表彰在IC设计方面取得的成就和中国市场上发布的优秀产品,已成为中国大陆电子设计行业最令人期待和受人尊重的...

  • avago光耦

      Avago Technologies(安华高科技)日前宣布,推出业内能效最高的1MBd数字光电耦合器产品,和目前产业标准1MBd数字光电耦合器比较,Avago紧凑...

  • altera 开发工具

      可程式逻辑闸阵列(FPGA)大厂阿尔特拉(Altera)和硅智财大厂英商安谋(ARM)今(2)日宣布一项长期合作协议,双方在SoC FPGA同类最佳嵌入...

  • vishay intertechnologies

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(ML...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9