网站首页 > 产品> DMC1018UPD-13

DMC1018UPD-13| MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060

DMC1018UPD-13

描述 :   MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A, 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V, 20V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 30.4nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1525pF @ 6V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Power - Max 2.3W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Supplier Device Package PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
  • vishay电容器

      近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其M39006/33(Style CLR93)钽外壳严格密封的液钽电容器的电容范围。该器件为关键的航空和航...

  • vishay m7

      Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54E...

  • xilinx fpga开发

      All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc.,(NASDAQ:XLNX))今天宣布,百度已在其公有云中部署了基于赛灵思...

  • atmel品牌

      随着3G智能手机、三网融合等移动互联网及物联网产业的的逐步兴起,作为核心技术的嵌入式技术开发在这些行业中起的作用越来越重要,市场对嵌入式系...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9