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CAS325M12HM2| MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE

CAS325M12HM2

描述 :   MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE

品牌 :   Cree Inc.

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 444A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 1127nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds *
Mounting Type *
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case Module
Power - Max 3000W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 400A, 20V
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 105mA
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