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EPC2110ENGRT| TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

EPC2110ENGRT

描述 :   TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

品牌 :   EPC

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 80pF @ 60V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Power - Max -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 5V
Supplier Device Package Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA
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电子元件制造商

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