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US6K4TR| MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

US6K4TR

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 110pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Supplier Device Package TUMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
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电子元件制造商

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