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BSM120D12P2C005| MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

BSM120D12P2C005

描述 :   MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

品牌 :   Rohm Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 14000pF @ 10V
Mounting Type *
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Power - Max 780W
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 22mA
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