网站首页 > 产品> BSM180D12P2C101

BSM180D12P2C101| MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

BSM180D12P2C101

描述 :   MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

品牌 :   Rohm Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 23000pF @ 10V
Mounting Type *
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Power - Max 1130W
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Supplier Device Package Module
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
  • altera控制卡

      Mentor Graphics Corp今天宣布,革新的定制逻辑解决方案领导者Altera公司已经采用Veloce ®仿真器平台,以实现针对其下一代产品的快速验证。...

  • atmel系列

      Atmel将在此次展会上推出的面向物联网市场的全新解决方案包括:  • 低功耗嵌入式处理解决方案  o 业内功耗最低的面向物联网市场的ARM® ...

  • avago编码器

      Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)日前宣布推出三款新型高压线路驱动器,丰富了工业自动化市场资源。AEIC-7272、AEIC-7273 和A...

  • vishay dale电阻

      日前,Vishay Intertechnology Inc宣布,推出新系列高功率、大电流的栅格电阻---GRE2。Vishay Milwaukee GRE2电阻是Vishay Dale Re...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9