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NTMFD4C86NT1G| MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

NTMFD4C86NT1G

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

品牌 :   ON Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A, 18.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) @ Vgs 22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1153pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
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