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FDMQ8203| MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
在线报价一
属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.6A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V, 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 210pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 12-WDFN Exposed Pad |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 12-MLP (5x4.5) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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